描述：FDN335N

FDN335N：N額定2.5V額定PowerTrench®MOSFET
此Ñ溝道2.5V額定MOSFET采用飛兆半導體先進的的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態電阻并保持低柵極電荷以獲得卓越開關性能而定制的。

特性：FDN335N
1.7 A，20V。RDS（on）= 0.07Ω@ VGS = 4.5V。RDS（on）= 0.100Ω@ VGS = 2.5V。
RDS（on）= 0.07Ω@ VGS = 4.5 V
RDS（on）= 0.100Ω@ VGS = 2.5 V
低柵極電荷（3.5nC，典型值）。
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）。
高功率和高電流處理能力。

應用：FDN335N
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
DC / DC轉換器
負荷開關

制造商:FDN335N
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
1.7 A
Rds On-漏源導通電阻:
55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN335N
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
7 S
下降時間:
8.5 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8.5 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
11 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
零件號別名:
FDN335N_NL
單位重量:
30 mg