描述：FDS4435BZ

FDS4435BZ：-30V P橫向PowerTrench®MOSFET
此P MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench®工藝生產，這一先進工藝是專為最大程度地降低通態電阻而定制的。•該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負載開關應用。

特性：FDS4435BZ
最大rDS（on）=20mΩ（VGS = –10V且ID = –8.8A時）
最大rDS（on）=35mΩ（VGS = –4.5V且ID = –6.7A時）
擴展了VGSS范圍（-25V），適合電池應用
HBM ESD保護等級為±3.8KV典型值（注3）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
高功率和高電流處理能力
終端是符合RoHS指令標準的無鉛產品

應用：FDS4435BZ
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。

制造商:FDS4435BZ
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SO-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
8.8 A
Rds On-漏源導通電阻:
16 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
25 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.75 mm
長度:
4.9 mm
系列:
FDS4435BZ
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
3.9 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
24 S
下降時間:
38 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
13 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
68 ns
典型接通延遲時間:
12 ns
零件號別名:
FDS4435BZ_NL
單位重量:
130 mg