描述：FDN358P

FDN358P：單P內置，邏輯集成，PowerTrench®MOSFET
此P邏輯邏輯MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench工藝生產，這一先進工藝是專為替代地降低導通電阻并保持低功耗替代的卓越開關性能而定制的。 器件非常適合便攜式電子應用：負載開關和功率管理，電池充電電路和DC / DC轉換。

特性：FDN358P
-1.5安，-30 V
RDS（ON）= 125mΩ@ VGS = 10 V
RDS（ON）= 200mΩ@ VGS = 4.5 V
低柵極電荷（4NC，典型值）
高性能溝道技術可實現極低的RDS（ON）
相同的SOT-23端口，可將功率處理能力提高30％。

應用：FDN358P
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用程序。
負荷開關
能源管理
電池充電電路
DC-DC轉換

制造商:FDN358P
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SSOT-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
1.5 A
Rds On-漏源導通電阻:
125 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
500 mW (1/2 W)
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.12 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
FDN358P
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.4 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
3.5 S
下降時間:
13 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
13 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
12 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
零件號別名:
FDN358P_NL
單位重量:
30 mg