描述：MMBF170LT1G
MOSFET – N溝道，
SOT-23
500 mA，60伏
MMBF170LT1G：單N溝道功率MOSFET 60V 500mA5Ω


特征：MMBF170LT1G
•適用于汽車和其他應用的NVBF前綴唯一的站點和控件更改要求； AEC-Q101合格且具有PPAP能力
•這些設備無鉛且符合RoHS要求


應用：MMBF170LT1G
該產品是一般用途，適用于許多不同的應用

制造商:MMBF170LT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
500 mA
Rds On-漏源導通電阻:
5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
800 mV
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
225 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
MMBF170L
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
10 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
單位重量:
30 mg