描述：NTR4003NT1G
MOSFET –單，
N通道，小信號，
SOT-23
30 V，0.56安

特征：NTR4003NT1G
•低柵極電壓閾值（VGS（TH））有助于驅動電路
設計
•低柵極電荷，可實現快速開關
•ESD保護門
•SOT-23封裝提供出色的熱性能
•最小擊穿電壓額定值為30 V
•適用于汽車和其他應用的NVR前綴
唯一的站點和控件更改要求； AEC-Q101
合格且具有PPAP能力
•這些設備無鉛且符合RoHS要求

應用領域：NTR4003NT1G
•筆記本：
♦電平轉換器
邏輯開關
♦低側負載開關
•便攜式應用

制造商:NTR4003NT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
560 mA
Rds On-漏源導通電阻:
1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
4 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
800 mV
Qg-柵極電荷:
1.15 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
690 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTR4003N
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
FETs - MOSFET - N-Channel
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
0.33 S
下降時間:
64.2 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
47.9 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
65.1 ns
典型接通延遲時間:
16.7 ns
單位重量:
8 mg