說明與應用：BSS123-7-F
這些N通道增強模式場效應晶體管是使用DIODES專有的高密度生產的，使用高級溝槽技術。這些產品旨在最大限度地減少
通態電阻，同時提供堅固，可靠和快速的開關性能。這些產品特別適合低壓，低電流應用，例如：BSS123-7-F
小型伺服電機控制
功率MOSFET柵極驅動器
切換應用


特點和優點：BSS123-7-F
低門限電壓
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
完全無鉛且完全符合RoHS（注釋1和2）
無鹵素和銻。 “綠色”設備（注3）
符合AEC-Q101標準的高可靠性
具有PPAP能力（注釋4）

機械數據：BSS123-7-F
案例：SOT23
外殼材料：模制塑料。 UL易燃性分類
額定94V-0
水分敏感性：J-STD-020的1級
端子：霧面錫涂層經過42號引線框退火
（無鉛電鍍）。根據MIL-STD-202，方法208可焊接
端子連接：請參見圖
重量：0.008克（大約）

制造商:BSS123-7-F
Diodes Incorporated
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
170 mA
Rds On-漏源導通電阻:
6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
300 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
BSS123
晶體管類型:
1 N-Channel
類型:
Enhancement Mode Field Effect Transistor
寬度:
1.3 mm
商標:
Diodes Incorporated
正向跨導 - 最小值:
0.08 S
下降時間:
8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
8 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
13 ns
典型接通延遲時間:
8 ns
單位重量:
8 mg