描述：SI7461DP-T1-E3
P通道60 V（D-S）MOSFET

特征：SI7461DP-T1-E3
•TrenchFET®功率MOSFET
•低熱阻PowerPAK®封裝
低1.07毫米輪廓

制造商:SI7461DP-T1-E3
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
PowerPAK-SO-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
14.4 A
Rds On-漏源導通電阻:
14.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Qg-柵極電荷:
121 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
5.4 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
TrenchFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.04 mm
長度:
6.15 mm
系列:
SI7
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
5.15 mm
商標:
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:
31 S
下降時間:
90 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
20 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
205 ns
典型接通延遲時間:
20 ns
零件號別名:
SI7461DP-E3
單位重量:
506.600 mg

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