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SIA413DJ-T1-GE3

發布時間:2021/1/26 17:10:00 訪問次數:167 發布企業:西旗科技(深圳)有限公司

描述:SIA413DJ-T1-GE3

P通道20V(D-S)MOSFET


特征:SIA413DJ-T1-GE3
•無鹵
•TrenchFET®功率MOSFET
•全新的耐熱增強型PowerPAK®
SC-70包裝
-占地面積小

-低導通電阻


應用領域:SIA413DJ-T1-GE3
•便攜式的負載開關,PA開關和電池開關
設備


SIA413DJ-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-70-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 150 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 38 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 19 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SIA
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SIA413DJ-GE3

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