N溝道200 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•新型低熱阻PowerPAK®
低1.07毫米外形的封裝
•為快速切換而優化的PWM
•已通過100％汞測試
•物料分類：用于以下方面的定義
合規性
•初級側開關，高密度
直流/直流
•電信/服務器48 V DC / DC
•工業和42 V汽車
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 5.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 5.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: SI7
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI7450DP-E3
單位重量: 506.600 mg
