N和P通道30 V（D-S）MOSFET
標記代碼：RG
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％汞測試
•材料分類：
有關符合性的定義，請參閱
應用領域：SI1539CDL-T1-GE3
•DC / DC轉換器
•負荷開關
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 700 mA, 500 mA
Rds On-漏源導通電阻: 388 mOhms, 890 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 1.5 nC, 3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 340 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI1
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 1.2 S, 0.6 S
下降時間: 15 ns, 10 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 25 ns, 19 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 14 ns, 4 ns
典型接通延遲時間: 26 ns, 32 ns
零件號別名: SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3
單位重量: 7.500 mg
