雙N溝道20 V（D-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET：額定2.5 V
•已通過100％汞測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-363-6
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 700 mA
Rds On-漏源導通電阻: 385 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 1.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
高度: 1 mm
長度: 2.1 mm
系列: SI1
寬度: 1.25 mm
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI1902DL-T1-BE3 SI1902DL-E3
單位重量: 7.500 mg
