P溝道1.5 V（G-S）MOSFET
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET：1.5 V額定值
•超低導通電阻
•已通過100％汞測試
•符合RoHS指令2002/95 / EC
•便攜式設備的負載開關
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 8 V
Id-連續漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 48 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 5 V, + 5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 750 mV
Qg-柵極電荷: 42 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.05 mm
系列: SI3
寬度: 1.65 mm
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI3499DV-T1-BE3 SI3499DV-GE3
單位重量: 20 mg
