描述：SI3437DV-T1-GE3
P溝道150V（D-S）MOSFET


特征：SI3437DV-T1-GE3
•無鹵，符合IEC 61249-2-21
定義
•TrenchFET®功率MOSFET
•已通過100％的Rg和UIS測試

•符合RoHS指令2002/95 / EC

應用領域：SI3437DV-T1-GE3
•DC / DC電源中的有源鉗位電路

SI3437DV-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 1.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 750 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 12.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.1 mm
長度: 3.05 mm
系列: SI3
寬度: 1.65 mm
商標: Vishay Semiconductors
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
零件號別名: SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-GE3
單位重量: 20 mg