N和P通道30 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•超低RDS（on）n和p通道可實現高
效率
•針對高端/低端進行了優化
•傳導損耗最小
•物料分類：用于以下方面的定義
合規性，請參閱www.vishay.com/doc?99912
•便攜式設備，包括PDA，蜂窩電話和
傳呼機
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 2.5 A, 1.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 77 mOhms, 170 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 12 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 600 mV
Qg-柵極電荷: 3 nC, 3.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Dual
系列: SI3
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標: Vishay Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 10 S, 5 S
下降時間: 7 ns, 20 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns, 15 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns, 20 ns
典型接通延遲時間: 5 ns, 5 ns
零件號別名: SI3590DV-T1
單位重量: 20 mg
