描述：IRF135B203
135V狹窄N通道StrongIRFET™功率MOSFET，采用TO-220封裝英飛凌最新的135 V StrongIRFET™功率MOSFET器件為電池供電的應用提供低RDS（on），魯棒性，可靠性和成本效益。
特征描述：IRF135B203
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
行業標準的通孔電源封裝
高電流承載能力封裝（高達195A，取決于芯片尺寸）
優勢：IRF135B203
多廠商兼容性行業標準資質等級
標準引腳排列允許更換
電流承載能力增強
潛在應用：IRF135B203
電池供電工具
低壓驅動
輕型電動車
開關電源
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 135 V
Id-連續漏極電流: 129 A
Rds On-漏源導通電阻: 8.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 180 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 441 W
通道模式: Enhancement
商標名: StrongIRFET
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 200 S
下降時間: 81 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 73 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 114 ns
典型接通延遲時間: 18 ns
單位重量: 6 g
