優勢：IRF6715MTRPBF
針對分銷合作伙伴的最廣泛可用性進行了優化
根據JEDEC標準的產品認證
邏輯電平：針對5 V柵極驅動電壓進行了優化
雙面冷卻能力
低包裝高度為0.7毫米
低寄生（1-2 nH）電感封裝
100％無鉛（無ROHS豁免）
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DirectFET-MX
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.9 V
Qg-柵極電荷: 40 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
通道模式: Enhancement
商標名: DirectFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 0.7 mm
長度: 6.35 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.05 mm
商標: Infineon / IR
正向跨導 - 最小值: 135 S
下降時間: 12 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 31 ns
工廠包裝數量: 4800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 16 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
