描述：STP10NK80ZFP
這些設備受N通道齊納保護使用以下產品開發的功率MOSFET
意法半導體的SuperMESH™技術，
通過優化ST井實現
建立基于條帶的PowerMESH™布局。 在
除了可以大大降低導通電阻之外，該器件還可以確保
最高的dv / dt能力
苛刻的應用程序。
特征：STP10NK80ZFP
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■極好的制造重復性
■切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導通電阻: 900 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 72 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
配置: Single
高度: 9.3 mm
長度: 10.4 mm
系列: STP10NK80ZFP
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 4.6 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 9.6 S
下降時間: 17 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 65 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
單位重量: 2.040 g
