描述：STP18N60M2

這些器件是使用MDmesh™M2開發的N溝道功率MOSFET。
技術。 由于其帶狀布局和改進的垂直結構，這些設備
表現出低導通電阻和優化的開關特性，使其呈現
適用于最苛刻的高效轉換器。


特征：STP18N60M2
訂貨代碼VDS @ TJmax RDS（on）max。 身份證件
STB18N60M2
650 V 0.280歐姆13 A
D2PAK
STI18N60M2I2PAK
STP18N60M2 TO-220
STW18N60M2 TO-247
•極低的柵極電荷
•出色的輸出電容（COSS）曲線
•經過100％雪崩測試

•齊納保護

應用：STP18N60M2
•切換應用

•LLC轉換器，諧振轉換器

STP18N60M2

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 13 A
Rds On-漏源導通電阻: 255 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 21.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: STP18N60M2
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 10.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 47 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
單位重量: 330 mg