CAF56800JLF_72PLR50K導讀
2019年4月，德州儀器發布了這座300mm晶圓廠的興建計劃，預計投資31 億mei yuan。不過，鑒于2019年低迷的半導體市場，以及不甚理想的營收狀況，TI在Richardson 投資建設300mm晶圓廠計劃并不如當初預想的那樣順利，可能要推遲兩年才能完成。
隨著制程工藝的成熟與進步，以及市場需求的增加，越來越多的公司采用20nm以下的先進工藝設計、生產IC和器件，這使得越來越多的IDM和代工廠淘汰生產效率低下的晶圓廠。。
CAF56800JLF_72PLR50K" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/A7/wKhk7WDpRKWAODtwAAB9FkilPQ4191.jpg" />
”。通用充電使得便攜式設備，諸如血壓計和低功率持續氣道正壓通氣（CPAP）機器等，能夠通過車載適配器或USB-PD適配器進行充電，為便攜式設備帶來了更高的靈活性和便利性。欲了解詳細信息，請閱讀文章“通用快速充電是電池充電應用的未來趨勢。通過對充電IC的正向和反向的雙向操作可支持移動（OTG）充電。
開關金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測電路和雙輸入選擇驅動器。組件數量的減少對于諸如智能揚聲器之類的應用頗有價值；而且，隨著市場采用率的提高，這些應用產品的尺寸和成本不斷縮小。
CAF56800JLF GS31001202JLF CAW102R20JLF CAF103302JLF CVW522R0JLF 。
。9200 ECO 硬盤的較高容量為8 TB或11 TB，設計為每天不到壹次滿盤寫入。Micron 9200包括三個耐久等級：9200 PRO 主要面向讀取密集型應用場景，大約每天可以滿盤寫入壹次 (DWPD)，容量從1.9 TB到7.6 TB，而9200 MAX 支持讀寫混合型應用場景，容量從1.6 TB到6.4 TB，大約每天可以滿盤寫入三次。
CAF56800JLF_72PLR50K" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/AC/wKhk7mDpRLGAamCnAACbOCZiN0o055.jpg" />
TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。
AD0002SSN AD08G4826-C89240 AD08G4826-C89240 IC AD08G5039-C85684 AD08G5039-D00053 AD08G5155 其他被動元件 AD1021AARQZ AD1021AARQZ 模塊 AD1021ARQ AD1021RQ 。
71022AE3 71025AE3 7180W 74088820 74088820APSE-QAA 7B30-02-1 7B32-01-1 7B34-03-1 7B34-04-1 7B34-04-1 其他被動元件。
PFC-W0805LF-03-4751-B CAW10R100JLF CAW101500JLF CHP1-100-4641-F-7 CAW10R330JLF 。
CAF56800JLF_72PLR50K" src="https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/1C/A7/wKhk7WDpRNCADnVhAADM2-64Hh4885.jpg" />
Airgap type在制作壓電層之前沉積一個輔助層(sacrificial support layer)，較后再把輔助層去掉，在震蕩結構下方形成air gap。 因為只是邊緣部分跟底下substrate接觸，這種結構在受到壓力時相對脆弱，而且跟membrane type類似，散熱問題同樣需要關注。
。以上就是可將數據中心吞吐量和存儲容量提高的Micron 9200 NVMe SSD解析，希望能給大家幫助。
相關資訊
