TLJW337M004R0200_TLJW337M004R0200導讀

R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

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TLJA686M006R0500

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

·對微弱的信號進行放大：基極輸入一個很小的信號就會引起集電極很大的電流變化，這是電子電路中一個最重要也是最核心的部分。

截止狀態:三極管發射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極管這時便失去了電流放大作用,集電極和發射極之間相當于開關的斷開狀態，我們稱三極管處于截止狀態。

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TAJD108M004RNJ

。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

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