TLJK336M006R1700_TLJK336M006R1700導讀

而電動車上上用的功率mos是立體結構。我們所見的mos管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。小功率mos是平面型結構。

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TAJE108K004RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。飽和導通狀態:當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。

。·用作無觸點開關：利用三極管的截止和導通特性來控制或驅動負載;比如由三極管組成的門電路、開關電源等。

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TAJA335K025RNJ

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。另一種晶體管叫做場效應管 (FET) ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。

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