TLJP476M006R2500_TLJP476M006R2500導讀

這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。

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TAJC227M006RNJ

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

·對微弱的信號進行放大：基極輸入一個很小的信號就會引起集電極很大的電流變化，這是電子電路中一個最重要也是最核心的部分。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

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TLJB157M010R0500

。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

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