TLJG686M006R0800_TLJG686M006R0800導讀

這里我只針對NMOS驅動電路做一個簡單分析： Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超。

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TAJA106M016RNJ

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

截止狀態:三極管發射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極管這時便失去了電流放大作用,集電極和發射極之間相當于開關的斷開狀態，我們稱三極管處于截止狀態。

三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。飽和導通狀態:當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

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TAJB154M050RNJ

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。另一種晶體管叫做場效應管 (FET) ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

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結構和符號 (以N溝道增強型為例) —— 在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

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