512Mx16 K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCTD 96FBGA

512Mx16 K4A8G165WB-BIPB K4A8G165WB-BIRC K4A8G165WB-BITD 96FBGA

K4A8G165WB-BIRC 8Gb DDR4 SDRAM B-die被組織為64Mbit x 16 I/ o x 8bank
設備。該同步裝置實現了高速雙數據速率
傳輸速率高達2666Mb/sec/pin (DDR4-2666)，適用于一般應用。
該芯片設計符合以下關鍵DDR4 SDRAM功能，如貼附CAS，可編程CWL，內部(自)校準，
使用ODT引腳和異步復位的芯片終止。
所有的控制和地址輸入與一對外部最終提供的差分時鐘同步。輸入鎖存于不同時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一對雙向頻閃燈(DQS和DQS)在一個源同步閃光燈離子。地址總線用于傳遞行、列和銀行地址
RAS/CAS多路復用方式的信息。DDR4設備工作
采用單路1.2V(1.14V~1.26V)電源，1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
2.5V (2.375V~2.75V) VPP。
8Gb DDR4 B-die器件提供96ball FBGAs(x16)