bychip可替代AM4599C-T1-PF導讀

圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。

具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管屬于電壓控制型半導體器件。

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bychip可替代

P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。

摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。

（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

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AP2306GN

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。

APM2054NUC-TRL、APM2301CAC-TRL、APM2305AC、APM2701AC、APM2701ACC-TRG、APM3048ADU4、APM3095PUC-TRL、APM4015PUC-TRL、APM4435KC-TRL、APM4826KC-TRG。

這個值要盡可能的小，因為一旦阻值偏大，就會使得功耗變大。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。RDS(on)(漏源電阻) 導通時漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導通時的消耗功率。 MOS管 導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。

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假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。

當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現了。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。

文章來源：www.bychip.cn