bychip可替代_AM2394NE導讀

圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric(柵介質)。金屬極就是GATE，而半導體端就是backgate或者body。

由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負的，所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

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在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。

（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。

以P型半導體為襯底，在一個 低摻雜容度 的 P 型半導體上，通過擴散技術做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。

3、開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現在芯片內部集成的幾乎都是MOS管。 2、導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導損耗，。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。

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DTU40P06

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

MOS管的基本原理是利用一個金屬柵極、氧化物和半導體組成的結構來控制導體的電阻。在 MOS管中，半導體材料通常是硅。

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子設備中。MOS管是一種場效應管，其主要作用是在電路中實現信號放大、開關控制等功能。

場效應管的工作電流不應超過 ID 。一般實際應用作為開關用需要考慮到末端負載的功耗，判斷是否會超過 ID。ID(導通電流) 最大漏源電流。是指場效應管正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。

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假設source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會形成channel。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

文章來源：www.bychip.cn