制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 7 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.9 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6 V
Qg-柵極電荷: 47 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFA7N100
封裝: Tube
商標: IXYS
下降時間: 44 ns
正向跨導 - 最小值: 3.6 S
高度: 4.83 mm
長度: 9.65 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 49 ns
50
子類別: MOSFETs
類型: Polar HiPerFET Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 42 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 10.41 mm
單位重量: 1.600 g
IXFR16N120P
IXFR180N15P
IXFR18N90P
IXFR200N10P
IXFR20N100P
IXFR20N120P
IXFR20N80P
IXFR24N80P
IXFR24N90P
IXFR26N100P
IXFR26N120P
