制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 5 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.8 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 6 V
Qg-柵極電荷: 33.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
系列: IXFA5N100
封裝: Tube
商標: IXYS
下降時間: 37 ns
正向跨導 - 最小值: 2.4 S
高度: 4.83 mm
長度: 9.65 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 13 ns
50
子類別: MOSFETs
類型: Polar Power MOSFET HiPerFET
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 12 ns
寬度: 10.41 mm
單位重量: 2.300 g
IXFR64N50P
IXFR64N60P
IXFR80N50P
IXFT120N15P
IXFT140N10P
IXFT14N80P
IXFT16N120P
IXFT16N120PHV
IXFT16N80P
IXFT18N90P
