NCP3420DR2G ON安森美具有雙路輸出的 MOSFET 驅動器，用于同步降壓轉換器

NCP3420DR2G說明
NCP3420DR2G是一款經優化的單相 MOSFET 門極驅動器，適用于驅動同步降壓轉換器中高壓側和低壓側功率 MOSFET 的門極。高壓側和低壓側驅動器能夠驅動一個 3000 pF 負載，傳播延遲為 30 ns，轉換時間為 20 ns。在較寬的運行電壓范圍內，可以優化高壓側或低壓側 MOSFET 門極驅動電壓，以實現最佳能效。內部自適應非重疊電路通過防止兩個 MOSFET 同時導通來減少開關損耗。通過對輸出禁用引腳施加低邏輯電平，可以將兩個門極輸出驅動為低電平。欠壓鎖定功能可確保當電源電壓較低時，兩個驅動器輸出都為低電平，而高溫關斷功能可為集成電路提供超溫保護。

NCP3420DR2G應用
MOSFET 驅動器
臺式機，服務器

NCP3420DR2G特性
熱關斷保護
內部下拉電阻抑制任一 MOSFET 的瞬態開啟
防交叉傳導保護電路
一個輸出信號同時控制上下柵極輸出
輸出禁用控制可同時關閉兩個 MOSFET
符合 VRM10.x 和 VRM11.x 規范
欠壓鎖定
提供熱增強型封裝

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 柵極驅動器
產品: MOSFET Gate Drivers
類型: High-Side, Low-Side
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 2 Driver
輸出端數量: 2 Output
電源電壓-最小: 4.6 V
電源電壓-最大: 13.2 V
上升時間: 16 ns
下降時間: 11 ns
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 85 C
系列: NCP3420
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
工作電源電流: 6 mA
工作電源電壓: 12 V
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 506.600 mg

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