NCP5106BDR2G ON安森美MOSFET / IGBT 驅動器，高電壓，高壓和低壓側

NCP5106BDR2G說明
NCP5106BDR2G是一款高電壓門極驅動器集成電路，提供兩種輸出，用于半橋配置版本 B 的 2個N溝道功率MOSFET或IGBT的直接驅動。它使用自舉技術來確保高壓側電源開關的正確驅動。NCP5106BDR2G該驅動器使用 2 的獨立的輸入。NCP5106BDR2G = 600V

NCP5106BDR2G應用
半橋功率轉換器
全橋轉換器

NCP5106BDR2G特性
高電壓范圍： 高達 600 V
dV/dt 抗擾度 ± 50 V/nsec
柵極驅動電源范圍：10 V 至 20 V
高、低驅動輸出
輸出源 / 灌電流能力 250 mA / 500 mA
兼容 3.3 V 和 5 V 輸入邏輯
輸入引腳電壓擺幅高達 Vcc
兩個通道之間的傳播延遲相匹配
輸出與輸入同相
獨立邏輯輸入，適合所有拓撲結構（A 版）
具有 100 ns 內部固定死區時間的交叉傳導保護（B 版）
兩個通道的欠壓鎖定（UVLO）
引腳對引腳兼容行業標準

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 柵極驅動器
產品: IGBT, MOSFET Gate Drivers
類型: Half-Bridge
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 2 Driver
輸出端數量: 2 Output
輸出電流: 500 mA
電源電壓-最小: - 300 mV
電源電壓-最大: 20 V
上升時間: 85 ns
下降時間: 35 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: NCP5106
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
工作電源電流: 5 mA
輸出電壓: 700 mV
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 540 mg

MC14093BDR2G
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