NCP5181DR2G ON安森美MOSFET / IGBT 驅動器，高電壓，高壓和低壓側，雙輸入

NCP5181DR2G說明
NCP5181DR2G是一款高電壓功率 Mosfet 驅動器，提供兩種輸出，用于半橋配置（或任何其他高壓側 + 低壓側配置）的 2 個 N 溝道功率 MOSFET 的直接驅動。NCP5181DR2G使用自舉技術來確保高壓側電源開關的正確驅動。NCP5181DR2G該驅動器使用 2 個獨立輸入可適應任何拓撲結構（包括半橋、不對稱半橋、有源箝位和全橋）。

NCP5181DR2G應用
用于 UPS 系統的橋式逆變器
大功率能源管理
半橋電源轉換器
全橋轉換器
任何互補驅動轉換器（非對稱半橋、有源鉗位）

NCP5181DR2G特性
高電壓范圍：高達 600 V
dV/dt 抗擾度 50 V/nsec
柵極驅動電源范圍：10 V 至 20 V
高、低 DRV 輸出
輸出源 / 灌電流能力 1.1 A / 2.4 A
兼容 3.3 V 和 5 V 輸入邏輯
輸入引腳電壓擺幅高達 Vcc
兩個通道之間的傳播延遲相匹配
輸出與輸入同相
獨立邏輯輸入，適合所有拓撲結構
兩個通道的 VCC 下鎖定 (UVLO)
引腳對引腳與 IR2181(S) 兼容

產品屬性 屬性值
制造商: onsemi
產品種類: 柵極驅動器
產品: MOSFET Gate Drivers
類型: High-Side, Low-Side
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵器數量: 2 Driver
輸出端數量: 2 Output
輸出電流: 2.2 A
電源電壓-最小: - 300 mV
電源電壓-最大: 20 V
上升時間: 40 ns
下降時間: 20 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: NCP5181
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: onsemi
工作電源電流: 6.5 mA
Pd-功率耗散: 178 mW
產品類型: Gate Drivers
工廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
單位重量: 540 mg

MC33172DR2G
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