CSD86350Q5D TI德州儀器采用 5mm x 6mm SON 封裝的 40A、25V、N 溝道同步降壓 NexFET™ 功率 MOSFET 電源塊

CSD86350Q5D說明
CSD86350Q5D NexFET™ 電源模塊是一款針對同步降壓應用而優化設計的產品，具有高電流、高效率和高頻率的能力，外形尺寸僅為 5 毫米 × 6 毫米。CSD86350Q5D針對 5 V 柵極驅動應用進行了優化，提供了一種靈活的解決方案，在與來自外部控制器/驅動器的任何 5 V 柵極驅動配對時，都能提供高密度電源。

CSD86350Q5D特性
半橋電源模塊
25 A 時系統效率達 90
高達 40 A 的工作電流
高頻操作（高達 1.5 MHz）
高密度 SON 5 mm × 6 mm 基底面
針對 5 V 柵極驅動進行了優化
低開關損耗
超低電感封裝
符合 RoHS 規范
無鹵素
無鉛端子電鍍

CSD86350Q5D應用
同步降壓轉換器
高頻應用
高電流、低占空比應用
多相同步降壓轉換器
POL DC-DC 轉換器
IMVP、VRM 和 VRD 應用

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 40 A
Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms, 1.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 900 mV
Qg-柵極電荷: 10.7 nC, 25 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 13 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD86350Q5D
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Dual
開發套件: CSD86350Q5DEVM-604, TPS53219EVM-690
下降時間: 2.3 ns, 21 ns
正向跨導 - 最小值: 103 S, 132 S
高度: 1.5 mm
長度: 6 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 21 ns, 23 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: Synchronous Buck MOSFET Driver
典型關閉延遲時間: 9 ns, 24 ns
典型接通延遲時間: 8 ns, 9 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 170 mg

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