CSD87381P TI德州儀器采用 3mm x 2.5mm LGA 封裝的 15A、30V、N 溝道同步降壓 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87381P特性
半橋電源塊
10A 電流下的系統效率達 90%
工作電流高達 15A
高密度 - 3mm × 2.5mm 接合柵格陣列封裝 (LGA) 尺寸
雙側冷卻能力
超薄 - 最大厚度為 0.48mm
針對 5V 柵極驅動進行了優化
低開關損耗
低電感封裝
符合 RoHS 環保標準
無鹵素
無鉛
CSD87381P應用范圍
同步降壓轉換器
高電流、低占空比應用
多相位同步降壓轉換器
負載點 (POL) 直流 - 直流轉換器
CSD87381P說明
此 CSD87381P NexFET 電源塊 II 是針對同步降壓應用的高度優化設計,能夠在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封裝內提供大電流和高效率。 針對 5V 柵極驅動應用進行了優化,CSD87381P可提供高效且靈活的解決方案,在與外部控制器/驅動器的任一 5V 柵極驅動器配套使用時,可提供一個高密度電源。
產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PTAB-5
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 8 A
Rds On-漏源導通電阻: 16.3 mOhms, 7.6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V, 1 V
Qg-柵極電荷: 3.9 nC, 8.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD87381P
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Dual
開發套件: CSD87381PEVM-603
下降時間: 3 ns, 2.9 ns
正向跨導 - 最小值: 40 S, 89 S
高度: 0.48 mm
長度: 3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 19.3 ns, 16.3 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延遲時間: 6.7 ns, 7.9 ns
寬度: 2.5 mm
單位重量: 33.200 mg
OPA171AIDR
OPA171AQDBVRQ1
OPA188AIDR
OPA209AIDGKR
OPA211AIDR
OPA1654AIDR
OPA1654AIPWR
OPA1679IDR
OPA2132U/2K5
OPA2172IDR
OPA2189IDR
OPA2237UA/2K5
OPA2244EA/2K5
OPA2322AIDR
OPA2330AIDGKR
OPA2333AIDGKR
OPA2335AIDR
TPA3255DDVR
ADS1110A1IDBVR
DP83640TVVX/NOPB
INA181A3IDBVR
ISO7421DR
MAX3221IPWR
MSP430G2302IPW20R
OPA4171AIPWR
SN65HVD1781DR
SN74AVC4T774PWR
SN74CBTLV3126PWR
SN74LVC1G97DCKR
SN74LVC07APWR
TCAN1145DRQ1
TLC6C598QPWRQ1
TLC5917IDR
TLV70718PDQNR
TMP1075DSGR
TPS24770RGER
TPS51225CRUKR
TPS54060DGQR
TPS568215RNNR
TS5A623157DGSR
UCC27524ADR
UCD7138DRSR
SN74LVC2G126DCTR
ADS8689IPWR
CSD15380F3
CSD15571Q2
CSD16321Q5
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CSD16327Q3
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CSD17551Q3A
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CSD17577Q3A
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CSD17578Q3A
CSD17579Q3A
CSD17579Q5A
CSD17581Q3A
CSD17581Q5A
CSD18502Q5B
CSD18509Q5B
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CSD19502Q5B
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CSD19533KCS
CSD19533Q5A
CSD19535KTT
CSD19537Q3T
CSD19538Q3A
CSD23202W10
CSD25404Q3
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CSD85301Q2
CSD86350Q5D
CSD87330Q3D
CSD87381P