CSD88539ND TI德州儀器采用 SO-8 封裝的雙路、28mΩ、60V、N 溝道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD88539ND特性
超低 Qg 和 Qgd
雪崩級
無鉛
符合 RoHS 標準
無鹵素

CSD88539ND說明
CSD88539ND這款雙通道 SO-8、60V、23mΩ NexFET™ 功率 MOSFET 設計用于在低電流電機控制應用中充當半橋。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.6 V
Qg-柵極電荷: 7.2 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD88539ND
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Dual
下降時間: 4 ns
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 9 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 14 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
寬度: 3.9 mm
單位重量: 74 mg

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