CSD87330Q3D TI德州儀器采用 3mm x 3mm SON 封裝的 20A、30V、N 溝道同步降壓 NexFET™ 功率 MOSFET 電源塊

CSD87330Q3D特性
半橋式電源塊
高達 27 V VIN
在 15 A 電流下可實現 91% 的系統效率
高達 20 A 的工作電流
高頻率工作（高達 1.5MHz）
高密度 — SON 3.3-mm × 3.3-mm 封裝
針對 5V 柵極驅動進行了優化
低開關損耗
超低電感封裝
符合 RoHS 標準
無鹵素
無鉛終端電鍍

CSD87330Q3D說明
CSD87330Q3D NexFET 電源塊是面向同步降壓應用的優化設計，能夠以 3.3 毫米 × 3.3 毫米的小巧外形提供高電流、高效率以及高頻率性能。當與來自外部控制器/驅動的任一 5 V柵極驅動器成對使用時，此產品提供一個靈活的解決方案以提供高密度電源，因此此產品為 5 V柵極驅動應用提供最優解決方案。 CSD87330Q3D針對 5V 柵極驅動應用進行了優化，可提供高度靈活的解決方案，在與外部控制器/驅動器的任何 5V 柵極驅動配合使用時，均可提供高密度電源。

產品屬性 屬性值
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LSON-CLIP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: -
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷: 4.8 nC, 9.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6 W
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
系列: CSD87330Q3D
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: Texas Instruments
配置: Dual
開發套件: EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降時間: 1.7 ns, 1.6 ns
正向跨導 - 最小值: 76 S, 51 S
高度: 1.5 mm
長度: 3.3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 6.8 ns, 7.5 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延遲時間: 4.5 ns, 4.5 ns
寬度: 3.3 mm
單位重量: 68 mg

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