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IXTP3N100D2

發布時間:2024/6/27 10:43:00 訪問次數:82 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 3 A
Rds On-漏源導通電阻: 6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 37.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP3N100
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel

單位重量: 2 g


IXTP3N50D2
IXTP6N100D2
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