制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 95 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP6N100
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 47 ns
正向跨導 - 最小值: 2.6 S
高度: 16 mm
長度: 10.66 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 80 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Depletion Mode MOSFET
典型關閉延遲時間: 34 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXTP130N15X4A
IXTP150N15X4A
IXTA1N170DHV
IXTH10N100D
IXTH1N170DHV
IXTP01N100D
IXTP02N50D
IXTT10N100D
IXTU01N100D
IXTU02N50D
