制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 96 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Depletion
系列: IXTP6N50
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
下降時間: 43 ns
正向跨導 - 最小值: 2.8 S
高度: 16 mm
長度: 10.66 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 72 ns
50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Depletion Mode MOSFET
典型關閉延遲時間: 82 ns
典型接通延遲時間: 28 ns
寬度: 4.83 mm
單位重量: 2 g
IXTY01N100D
IXTY02N50D
IXFA10N60P
IXFA10N80P
IXFA12N50P
IXFA14N60P
IXFA16N50P
IXFA4N100P
IXFA5N100P
IXFA6N120P
IXFA7N100P
