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IXTT10N100D2

發布時間:2024/6/27 10:48:00 訪問次數:84 發布企業:深圳和潤天下電子科技有限公司

產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
REACH - SVHC:
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-268-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1 kV
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.5 V
Qg-柵極電荷: 200 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 695 W
通道模式: Depletion
系列: IXTT10N100
封裝: Tube
商標: IXYS
配置: Single
產品類型: MOSFET
30
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel

單位重量: 6.500 g


IXFA7N80P
IXFB100N50P
IXFB170N30P
IXFB210N20P
IXFB300N10P
IXFB30N120P
IXFB40N110P
IXFB44N100P
IXFB52N90P

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