光電倍增管內部結構
發布時間:2015/3/12 20:02:47 訪問次數:2083
當入射光很微弱時,普通光A3211ELHLT-T電管產生的光電流很小,只有零點幾微安,很不容易探測。這時常用光電倍增管對電流進行放大,圖4 -15為其內部結構示意圖。
圖4 -15光電倍增管內部結構示意圖
光電倍增管由光電陰極、倍增極以及陽極3部分組成。光電陰極是由半導體光電材料銻銫做成,入射光在它上面打出光電子。倍增極是在鎳或銅一鈹的襯底上涂上銻銫材料而形成的。工作時,各個倍增極上均加上電壓,陰極K電位最低,從陰極開始,各倍增極Ei,E2,E,,E。(或更多,多的可達30極)電位依次升高,陽極A電位最高。光電陰極上所激發的電子,由于各倍增極有電場存在,所以陰極激發電子被加速,經過各極倍增管后,能放出更
多的電子。陽極是最后用來收集電子的,收集到的電子數是陰極發射電子數的l05~ 106倍。即光電倍增管的放大倍數可達幾萬倍到幾百萬倍。光電倍增管的靈敏度就比普通光電管高幾萬倍到幾百萬倍。因此在很微弱的光照時,它就能產生很大的光電流。
當入射光很微弱時,普通光A3211ELHLT-T電管產生的光電流很小,只有零點幾微安,很不容易探測。這時常用光電倍增管對電流進行放大,圖4 -15為其內部結構示意圖。
圖4 -15光電倍增管內部結構示意圖
光電倍增管由光電陰極、倍增極以及陽極3部分組成。光電陰極是由半導體光電材料銻銫做成,入射光在它上面打出光電子。倍增極是在鎳或銅一鈹的襯底上涂上銻銫材料而形成的。工作時,各個倍增極上均加上電壓,陰極K電位最低,從陰極開始,各倍增極Ei,E2,E,,E。(或更多,多的可達30極)電位依次升高,陽極A電位最高。光電陰極上所激發的電子,由于各倍增極有電場存在,所以陰極激發電子被加速,經過各極倍增管后,能放出更
多的電子。陽極是最后用來收集電子的,收集到的電子數是陰極發射電子數的l05~ 106倍。即光電倍增管的放大倍數可達幾萬倍到幾百萬倍。光電倍增管的靈敏度就比普通光電管高幾萬倍到幾百萬倍。因此在很微弱的光照時,它就能產生很大的光電流。