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防護措施

發布時間:2015/6/25 21:26:54 訪問次數:535

   器件抗靜電能力與器件類型、輸入端保護結構、版圖設計、制造工藝及使用情況有關。 HD100180應在各個環節采取相應有效措施一

   1.MOS電路

   最易引起ESD的是輸入端,一般輸入端都接有電阻一鉗位器件保護網絡。限流電阻多為擴散電阻或多晶硅電阻,鉗位管可分為一般二極管、柵控二極管、MOS管等,根據情況和使用要求選用。除了要有快的導通特性和小的動態電阻外,保護網絡還應具有大的功率承受能力。此外還要考慮保護網絡的引入對電路性能、版圖和工藝等的影響。

   2.雙極器件

   雙極器件一般不設計保護網絡,在小器件的基極也可加串聯電阻或在E-B結上反向并聯二極管,以便形成充電回路。

   3.生產與使用環境

   要消除一切可能的靜電源或使靜電盡快消失,對一切可能產生靜電的物體和人員提供放電通路,各種儀器設備要良好接地,相關人員佩戴接地的肘帶、腕帶等。空氣濕度對靜電損傷的影響很大,冬季天氣干燥,器件的靜電損傷嚴重。濕度增加,絕緣體表面電導增加,能加速靜電的泄放。所以工作場所可用噴水等措施增加濕度,一般相對濕度在0.5~0.6時為好。各種塑料和橡膠制品容易產生靜屯,要避免使用。而用半導電的塑料或橡皮(添加炭黑等材料)制作各種容器、包裝材料及地板。工作服要用木棉或棉花制造,不能用尼龍等化纖制品,防止摩擦帶電。MOS器件及其印制電路板禁止帶電插拔等。

   4.儲存或運輸

   MOS IC各引出線應短接以保持等電位或安放在導電的容器中,器件要與容器緊密接觸并固定住,防止運輸時在容器內晃動摩擦。

   器件抗靜電能力與器件類型、輸入端保護結構、版圖設計、制造工藝及使用情況有關。 HD100180應在各個環節采取相應有效措施一

   1.MOS電路

   最易引起ESD的是輸入端,一般輸入端都接有電阻一鉗位器件保護網絡。限流電阻多為擴散電阻或多晶硅電阻,鉗位管可分為一般二極管、柵控二極管、MOS管等,根據情況和使用要求選用。除了要有快的導通特性和小的動態電阻外,保護網絡還應具有大的功率承受能力。此外還要考慮保護網絡的引入對電路性能、版圖和工藝等的影響。

   2.雙極器件

   雙極器件一般不設計保護網絡,在小器件的基極也可加串聯電阻或在E-B結上反向并聯二極管,以便形成充電回路。

   3.生產與使用環境

   要消除一切可能的靜電源或使靜電盡快消失,對一切可能產生靜電的物體和人員提供放電通路,各種儀器設備要良好接地,相關人員佩戴接地的肘帶、腕帶等。空氣濕度對靜電損傷的影響很大,冬季天氣干燥,器件的靜電損傷嚴重。濕度增加,絕緣體表面電導增加,能加速靜電的泄放。所以工作場所可用噴水等措施增加濕度,一般相對濕度在0.5~0.6時為好。各種塑料和橡膠制品容易產生靜屯,要避免使用。而用半導電的塑料或橡皮(添加炭黑等材料)制作各種容器、包裝材料及地板。工作服要用木棉或棉花制造,不能用尼龍等化纖制品,防止摩擦帶電。MOS器件及其印制電路板禁止帶電插拔等。

   4.儲存或運輸

   MOS IC各引出線應短接以保持等電位或安放在導電的容器中,器件要與容器緊密接觸并固定住,防止運輸時在容器內晃動摩擦。

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6-25防護措施

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