有很多半導體化合物由元素周期表中第II族、第III族、第V族和第VI族的元素形成．、UA79M08CKVURG3在這些化合物中，商業半導體器件中用得最多的是砷化鎵( GaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化銦( InP)、砷鋁化鎵(GaAIAs)和磷鎵化銦(InGaP)l。、這些化合物有特定的性能2；。，例如，當電流激活時，由砷化鎵和磷砷化鎵做成的二極管會發出可見的激光√它們和其他材料用于電子面板中的發光二極管( LED)。由于開發出一系列彩色光的其他化合物，發光二極管有里

程碑式的增長。

   砷化鎵的一個重要特性就是其載流子的高遷移率。這種特性使得在通信系統中砷化鎵器件比硅器件更快地響應高頻微波并有效地把它們轉變為電流，

   這種載流子的高遷移率也是對砷化鎵晶體管和集成電路的興趣所在。砷化鎵器件比類硅器件快兩到三倍，應用于超高速計算機和實時控制電路（如色機控制），

   砷他鎵本身就對輻射所造成的漏電具有抵抗性、j輻射（如宇宙射線）會在半導體材料中形成空穴和電子，它會增大不需要的電流，從而造成器件或電路的功能失效或損毀。可以在輻射環境下工作的器件稱為輻射加固( radiation hardened)器件。砷化鎵是天然輻射加固材料。

   砷化鎵也是半絕緣的。這種特性使鄰近器件的漏電最小化，允許更高的封裝密度，進而由于空穴和電子移動的距離更短，電路的速度更快了。在硅電路中，必須在表面建莎特殊的絕緣結構來控制表面漏電。這些結構使用了不少空間并且減少_『電路的密度i，

   盡管有這么多的優點，砷化鎵也不會取代硅成為主流的半導體材料。其原因在于性能和制造難度之間的權衡，，雖然砷化鎵電路非常快，但是大多數的電子產品不需要那么快的速度。在性能方面，砷化鎵如同鍺一樣沒有天然的氧化物。為廠補償，必須在砷化鎵上淀積多層絕緣體。這樣就會導致更長的工藝時間和更低的產量。而且在砷化鎵中半數的原子是砷，對人類是很危險的。遺憾的是，在正常的工藝溫度下砷會蒸發，這就額外需要抑制層或者加壓的工藝反應室。這些步驟延長了工藝時間，增加了成本。