在氧化反應方程式的反應方向的箭頭下，有一個三角形。這個三角形表示化學反應需要的能量。在硅技術里，這些能量來源于對晶圓的加熱， K4X51323PE-8GC3所以稱為熱氧化反應( thermal oxidation)。二氧化硅層在常壓或高壓條件下生長。常壓氧化發生在不必有意控制內部壓力的系統中，其壓力就是當地的大氣壓。有兩種常壓技術：管式反應爐( tube furnace)和快速氧化系統(rapidthermal system)（見圖7.15）。

   水平管式反應爐

   水平管式反應爐從20世紀60年代早期開始應用在氧化、擴散、熱處理以及各種淀積 工藝中。轉換到200 mm和300 mm晶圓后開始使用垂直管式反應爐。加工較小直徑晶圓的 晶圓制造廠仍然采用永平管式反應爐。兩種系統的基本工作原理是一樣的。

   圖7. 16顯示廠一個有3個加熱區的水平單爐管式反應爐的截面圖。它包含一個由多鋁 紅柱石材料制成的陶瓷爐管，管的內表面有銅材料制成的加熱管絲。每一段加熱管絲決定一 個加熱區并且由相應獨立的電源供電，并由比例控制器控制其溫度。在反應爐里有個石英的 爐管，它被用做氧化（或其他工藝）反應室。反應室可以在一個瓷套管里，瓷套管稱為套筒 ( muffle)。它起到一個熱接受器的作用，可以使沿石英爐管的熱分配比較均勻。