熱預算問題推動r高壓氧化的發展。晶圓中位錯的生長和在晶圓表面層中開f】的邊緣二是由于氰產生的錯位高溫氧化的麗個問題。在第一種情況下，位錯OP113F造成r器件性能的各種問題；在第二種情況下，表面位錯引起表面漏電或雙極型電路硅生長層的退化．

   位錯的生長是反應溫度和在此溫度時反應時間的函數。針對這個問題，一種解決力’案是降低反應溫度，此方案本身使得氧化時問變長。一種町以解決兩個問題的方案是高壓氧化（見圖7. 25）。這些系統結構很像傳統的水平式反應爐，但有一。妊顯著不同是：這種爐管是密封的并且氧化劑被用10~25信大氣壓的壓力泵入爐管。，高壓氧化的外圍要求用一個不銹鋼套包住石英管以防止爆裂。

   圖7. 25高壓氧化

   在這種壓力下，氧化速率比常壓下更快。一個簡單法則是壓力每增加…個大氣壓，溫度可以降低30℃，、在高壓系統里，由于壓力的增加使溫度降低300℃~ 750cc。，這種降低可以使晶圓里或表面的位錯生長最小。

   另…一種選擇是用高壓系統來維持正常的反應溫度，但減少了氧化時間。其他要擔心的是，高壓系統的安全操作問題以及由于要產生高壓而從附加的泵和管道里產生的污染、．