有兩種類型的化學顯影液用于正光刻膠，堿水溶液和非離子溶液。堿一水KTS6029-2溶液可以是氫氧化鈉或氫氧化鉀。因為這兩種溶液都含有可動的離子污染物，所以在制造敏感的電路時不能使用。大多數用正光刻膠的工藝線使用非離子的四甲基氫氧化銨( TMAH)溶液。有時要添加表面活性劑來去除表面張力，使溶液更易親合晶圓表面。正光刻膠的水溶性使它們在環保上比有機溶液的負光刻膠更具吸引力。

   接著的顯影步驟是為了停止顯影過程和從晶圓表面去除顯影液的沖洗。對正光刻膠沖洗用的是水，它帶來的是更簡單的處理和成本的降低，并有利于環境。

   正光刻膠的顯影工藝比負光刻膠更為敏感¨j。影響結果的因素是軟烘焙時間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時間、溫度，以及顯影方法。顯影工藝參數由所有變量的測試來決定、圖9.4顯示了一個特定的工藝參數對線寬昀影響。

   當使用正光刻膠時，顯影和清洗工藝的嚴格控制是尺寸控制的關鍵。對正光刻膠顯影液清洗的化學品是水。它的作用與負光刻膠清洗液相同，但是更便宜、使用更安全，更容易處理。