區熔法晶體生長是早期發展起來的幾種，仍然在特殊需要中使用6；1。 MC9S12DJ128VFU直拉法的一個缺點是坩堝中的氧進入到晶體中，對于有些器件，高濃度的氧是不能接受的。對于這些特殊情況，晶體必須用區熔法技術來生長以獲得低氧含量晶體。

   區熔法晶體生長（參見圖3. 13）需要一根多晶棒和澆鑄在模子里的摻雜物。籽晶融合到棒的一端。夾持器裝在單晶爐里。當高頻線圈加熱多晶棒和籽晶的界面時，多晶到單晶的轉變開始了。線圈沿著多晶棒的軸移動，一點點把多晶棒加熱到液相點。在每一個熔化的區域，原子排列成末端籽晶的方向。這樣整個棒以開始籽晶的定向轉變成一個單晶。

   圖3. 13  區熔法晶體生長系統

   區熔法晶體生長不能像直拉法那樣生長大直徑的單晶，并且晶體有較高的位錯密度，但不需用石英坩堝便會生長出低氧含量的高純晶體。低氧晶體呵以使用在高功率的晶閘管和整流器上。這兩種方法的比較如圖3. 14所示。