液體掩蓋直拉法
發布時間:2015/10/24 19:12:28 訪問次數:1014
液體掩蓋直拉法( LEC) j5用來生長砷化鎵晶體。實質上它和標準的直拉法(CZ)一樣， MC9S12DJ128BCFU但為砷化鎵做了重要改進。由于熔融物里砷的揮發性，改進是必需的。j在晶體生長的溫度條件下，鎵和砷起反應，砷會揮發出來造成不均勻的晶體。
對這個問題有兩種解決辦法。一個是給單晶爐加壓來抑制砷的揮發，另一個是液體掩蓋直拉法工藝(見圖3. 12)。液體掩蓋直拉法使用一層氧化硼(B2 01)漂浮在熔融物上面來抑制砷的揮發。在這種方法中，單晶爐里需要大約一個大氣壓。
液體掩蓋直拉法( LEC) j5用來生長砷化鎵晶體。實質上它和標準的直拉法(CZ)一樣， MC9S12DJ128BCFU但為砷化鎵做了重要改進。由于熔融物里砷的揮發性，改進是必需的。j在晶體生長的溫度條件下，鎵和砷起反應，砷會揮發出來造成不均勻的晶體。
對這個問題有兩種解決辦法。一個是給單晶爐加壓來抑制砷的揮發，另一個是液體掩蓋直拉法工藝(見圖3. 12)。液體掩蓋直拉法使用一層氧化硼(B2 01)漂浮在熔融物上面來抑制砷的揮發。在這種方法中，單晶爐里需要大約一個大氣壓。
相關技術資料- 10-24液體掩蓋直拉法
公網安備44030402000607
