離子注入工藝由于其與生俱來的，對于摻雜的控制而取代_『熱擴散上藝。OM6357EL1/3C5/M3可是離子注入工藝要求一個稱為退火( annealing)的加熱操作來把離子注入產生的品格損傷消除。傳統退火工藝由管式反應爐來完成。盡管退火工藝可以消除晶格損傷，但它同時也引起摻雜原子晶圓內部分散開，這是不希望發生的。這個問題促使人們去研究是否還有其他的能量源來達到同樣的退火效果而不使摻雜物擴散開。這一研究導致了快速熱處理( RTP)的開發。，

   RTP工藝基于熱輻射原理（見圖7.22）。晶圓被自動放入一個有進氣口和出氣¨的反應室中。在內部，加熱源在晶圓的上面或下面，使晶圓被快速加熱。熱源包括石墨加熱器、微波、等離子體和碘鎢燈17j。碘鎢燈是最常見的‘18。。熱輻射耦合進入晶圓表面并以每秒50℃~ 100cc的速率達到800C—1050℃工藝溫度j1 9。。在傳統的反應爐里，需要幾分鐘才能達到同樣的溫度。，圖7. 23是一個典型的時間一溫度周期。同樣地，在幾秒之內就可以冷卻下來對于輻射加熱，由于加熱時間裉短，晶圓本體并未升溫。對于離子注入的退火工藝，這就意味著，晶格損傷被修復了，而注入的原子還呆在原位置。