半導體材料在其本征狀態時是不能用于固態器件的。但是通過一種稱為摻雜( doping)的工藝， UA78M12CKTPR可以把特定的元素引入到本征半導體材料中。這些無素可以提高本征半導體的導電性，摻雜的材料表現出兩種獨特的特性，它們是固態器件的基礎。這兩種特性是：

   摻雜半導體的電阻率：金屬電阻率的范圍在每歐姆·厘米l04~ 106之間，該范圍的含義可以通過對如圖2.5所示的電阻進行測量得到．如果固定體積的金屬電阻率確定，改變電阻的唯一力‘法是改變金屬的形狀。而在有半導體特性的材料中，電阻率可以改變，從而在電阻的設計中增加了又…個自由度。半導體就是這樣的材料，其電阻率的范圍叮以通過摻雜擴展到10 I~103之間，、

   半導體材料可以摻雜一些元素以達到一個有用的電阻率范圍，這種材料或者是多電子（N剄）的或者是多空穴（P型）的．、

   圖2.7顯示出摻雜程度與硅的電阻率之間的關系，、縱坐標為載流子濃度是因為材料中的電子或窄穴稱為載流子( carrier)，注意有兩條曲線：N型與P型。這是因為在材料中移動一個電子或空穴所需的能量是不同的j如曲線所示，在硅中要達到指定的電阻率，N型所需摻雜的濃度要比P型小？表示這種現象的另一種方法是移動一個電子比移動一個窄穴的能量要小.