混凝式顯影：噴霧武L4973D5.1顯影因其均勻性和產能高而非常有吸引力。混凝顯影是用以獲得正光刻膠噴霧顯影工藝優點的一種工藝的變化。該系統使用一個標準的單晶圓噴射裝置。正常的噴霧式顯影和混凝顯影的區別是用于晶圓的顯影化學品的不同。工藝開始時，在靜止的晶圓表面上覆蓋一層顯影液（見圖9.8）。表面張力使顯影液在晶圓表面上不會流散到晶圓外。要求顯影液在晶圓表面上停留一定的時間，通常是以吸盤加熱的晶圓，這時絕大部分的顯影會發生。混合式顯影實際上是單片晶圓且只有晶圓的正面沉浸的工藝。在要求的混凝時間過后，更多的顯影液被噴到

晶圓表面上并沖洗、甩于，然后送入下一道工序。

   等離子體去除浮渣：不完全顯影造成的一個特殊困難稱為浮渣( sCumming)。浮渣可以是留在晶圓表面上的未溶解的光刻膠塊或是干燥后的顯影液3I。膜很薄并很難直觀檢驗。為了解決這個問題，在微米和微米以下的甚大規模集成電路( ULSI)生產線中，在化學顯影后用氧等離子體來去除( desc:um)這種薄膜。